參數(shù)資料
型號(hào)： PHE83N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, TO-220AB, I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/15頁(yè)
文件大?。?/td> 308K
代理商： PHE83N03LT
Philips Semiconductors
PHP83N03LT series
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 23 January 2001
3 of 15
9397 750 07815
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
Tmb (oC)
Pder
(%)
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120 140 160
180
03ac97
03ad95
0
20
40
60
80
100
120
I
der
(%)
0
60
120
180
T
mb
(oC)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ad86
1
10
102
103
1
10
102
V
DS
(V)
I
D
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
tp = 10 μs
100 μs
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PHX14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHF14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
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參數(shù)描述
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PHE840EA5100KA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.010uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
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PHE840EA5120KA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.012uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
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