參數(shù)資料
型號： PHX20N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET
中文描述： 12.9 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： PHX20N06T
PHX20N06T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 16 February 2004
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a fully isolated plastic
package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
Standard level compatible
I
Isolated package.
I
DC motor control
I
DC-to-DC converters
I
Synchronous rectification
I
General purpose power switching.
I
V
DS
≤
55 V
I
P
tot
≤
23 W
I
I
D
≤
12.9 A
I
R
DSon
≤
75 m
.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT186A (TO-220F), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT186A (TO-220F)
2
source (s)
3
drain (d)
mb
mounting base;
isolated
MBK110
1
mb
2 3
s
d
g
MBB076
M3D308
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHX45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHX4N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX4N50E PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N50E
PHX4N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX4ND40E PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHX20N06T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHX23NQ10T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
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