參數(shù)資料
型號(hào)： PHX20N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET
中文描述： 12.9 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大小： 89K
代理商： PHX20N06T
Philips Semiconductors
PHX20N06T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 16 February 2004
8 of 12
9397 750 12834
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
7.
Isolation characteristics
V
GS
= 0 V
I
D
= 10 A; V
DD
= 14 V and 44 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
Fig 12. Reverse diode current as a function of reverse
diode voltage; typical values.
03am74
0
5
10
15
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
150
°
C
VGS = 0 V
03am76
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 10 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 14 V
44 V
Table 6:
Symbol
V
(isol)RMS
Isolation characteristics
Parameter
RMS isolation voltage from all three
terminals to external heatsink
Capacitance from drain to external
heatsink
Conditions
f = 50-60 Hz; sinusoidal waveform;
RH
≤
65 %; clean and dust-free.
Min.
-
Typ.
-
Max.
2500
Unit
V
C
(d-h)
-
10
-
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHX45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
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