參數(shù)資料
型號： PHX20N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET
中文描述： 12.9 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： PHX20N06T
Philips Semiconductors
PHX20N06T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 16 February 2004
9 of 12
9397 750 12834
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
8.
Package outline
Fig 14. SOT186A (TO-220F).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT186A
3-lead TO-220F
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; isolated heatsink mounted;
1 mounting hole; 3 lead TO-220 'full pack'
SOT186A
A
A1
Q
c
K
j
Notes
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled. Terminals in this zone are not tinned.
2. Both recesses are
2.5
×
0.8 max. depth
D
D1
L
L2
L1
b1
b2
e1
e
b
w
M
1
2
3
q
E
P
T
UNIT
D
b1
D1
e
q
Q
P
L
c
L2
(1)
e1
A
5.08
3
mm
4.6
4.0
A1
2.9
2.5
b
0.9
0.7
1.1
0.9
b2
1.4
1.0
0.7
0.4
15.8
15.2
6.5
6.3
E
10.3
9.7
2.54
14.4
13.5
T
(2)
2.5
0.4
L1
3.30
2.79
j
2.7
1.7
K
0.6
0.4
2.6
2.3
3.0
2.6
w
3.2
3.0
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
02-03-12
02-04-09
mounting
base
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHX45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHX4N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX4N50E PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N50E
PHX4N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX4ND40E PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHX20N06T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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PHX27NQ11T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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