參數(shù)資料
型號(hào)： PHE83N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, TO-220AB, I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 10/15頁(yè)
文件大?。?/td> 308K
代理商： PHE83N03LT
Philips Semiconductors
PHP83N03LT series
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 23 January 2001
10 of 15
9397 750 07815
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 16. SOT404 (D
2-
PAK)
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.40
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
98-12-14
99-06-25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHT1N52S PowerMOS transistor
PHX14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHF14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHX20N06T N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET
PHX45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHE840E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EMI suppressor, class X2, metallized polypropylene(0.01-10 uF, 300 VAC, +105C)
PHE840EA5100KA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.010uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
PHE840EA5100M 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CAPACITOR X2 0.01UF 300V
PHE840EA5100MA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.010uF 20% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
PHE840EA5120KA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.012uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
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