參數(shù)資料
型號: PHE83N03LT
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS transistor
中文描述: 75 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, TO-220AB, I2PAK-3
文件頁數(shù): 11/15頁
文件大小: 308K
代理商: PHE83N03LT
Philips Semiconductors
PHP83N03LT series
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 23 January 2001
11 of 15
9397 750 07815
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 17. SOT226 (I
2
-PAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT226
low-profile
3-lead TO-220AB
D
D1
L
1
2
3
L2
L1
mounting
base
b1
e
e
Q
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; low-profile 3 lead TO-220AB
SOT226
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
UNIT
A1
b1
D1
e
Q
mm
2.54
L1
2.6
2.2
3.30
2.79
15.0
13.5
10.3
9.7
1.5
1.1
9.65
8.65
0.7
0.4
1.3
1.0
0.9
0.7
1.40
1.27
4.5
4.1
A
b
D
c
3.0
L2
max
(1)
E
L
99-05-27
99-09-13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHT1N52S PowerMOS transistor
PHX14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHF14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHX20N06T N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET
PHX45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHE840E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EMI suppressor, class X2, metallized polypropylene(0.01-10 uF, 300 VAC, +105C)
PHE840EA5100KA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.010uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
PHE840EA5100M 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CAPACITOR X2 0.01UF 300V
PHE840EA5100MA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.010uF 20% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
PHE840EA5120KA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.012uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm