參數(shù)資料
型號(hào)： PHB78NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 40 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： PHB78NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 14 November 2001
7 of 14
9397 750 08916
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
o
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
(V)
max
typ
min
Ciss
Coss
Crss
1
10
102
C
(pF)
0
VDS (V)
102
103
104
003aaa172
0.4
0.8
1.2
1.6
VSD (V)
40
30
20
10
0
IS
(A)
Tj = 175
ο
C
Tj = 25
ο
C
003aaa173
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHD78NQ03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB95N03LTA 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHB95NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD12N10E PowerMOS transistor
PHD16N03T TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
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PHB7N40E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB7N60E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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