型號(hào): | PHB95N03LTA |
英文描述: | 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 22V的五(巴西)直| 75A條(?。﹟對(duì)263AB |
文件頁(yè)數(shù): | 1/12頁(yè) |
文件大小: | 258K |
代理商: | PHB95N03LTA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PHB95NQ04LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
PHD12N10E | PowerMOS transistor |
PHD16N03T | TrenchMOS standard level FET |
PHD36N03LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
PHP36N03LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PHB95NQ04LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
PHB95NQ04LT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB96NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
PHB96NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB98N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |