參數(shù)資料
型號： PHD12N10E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-428, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： PHD12N10E
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
PHD12N10E
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode
field-effect power transistor in a
plastic envelope suitable for surface
mounting. The device is intended for
use in Switched Mode Power
Supplies (SMPS), motor control,
welding, DC/DC and AC/DC
converters, and in general purpose
switching applications.
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state resistance
100
14
75
175
0.16
V
A
W
C
PINNING - SOT428
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
tab
drain
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
PARAMETER
V
DS
Drain-source voltage
V
DGR
Drain-gate voltage
±
V
GS
Gate-source voltage
I
D
Drain current (DC)
I
D
Drain current (DC)
I
DM
Drain current (pulse peak value)
P
tot
Total power dissipation
T
stg
Storage temperature
T
j
Junction Temperature
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
-
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
MAX.
100
100
30
14
10
56
75
175
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
C
C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
PARAMETER
Thermal resistance junction to
mounting base
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
TYP.
-
MAX.
2
UNIT
K/W
R
th j-a
pcb mounted, minimum
footprint
50
-
K/W
1
2
3
tab
d
g
s
September 1997
1
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHD16N03T TrenchMOS standard level FET
PHD36N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP36N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD5N20E PowerMOS transistor
PHD83N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD12NQ15T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHD13003C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORDIODENPN400V1.5ATO92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,DIODE,NPN,400V,1.5A,TO92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,DIODE,NPN,400V,1.5A,TO92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:17; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
PHD13003C,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT H-VOLT PWR BPT 700V 2 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD13003C,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD13003C126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1.5 A 3-TO
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*