參數(shù)資料
型號： PHB78NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 40 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 12/14頁
文件大小： 292K
代理商： PHB78NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 14 November 2001
12 of 14
9397 750 08916
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
7.
Revision history
Table 5:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20011114
Description
Product data; initial version.
-
相關PDF資料
PDF描述
PHD78NQ03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB95N03LTA 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHB95NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD12N10E PowerMOS transistor
PHD16N03T TrenchMOS standard level FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHB78NQ03LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB78NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A SOT404 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHB7N40E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB7N60E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB80N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
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