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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB78NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 40 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 292K |
| 代理商： | PHB78NQ03LT |
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Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 14 November 2001
Document order number: 9397 750 08916
Contents
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
1
1.1
1.2
1.3
1.4
2
3
4
4.1
5
6
7
8
9
10
11
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Data sheet status. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD78NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB95N03LTA | 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PHB95NQ04LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHD12N10E | PowerMOS transistor |
| PHD16N03T | TrenchMOS standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB78NQ03LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB78NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A SOT404 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| PHB7N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB7N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB80N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
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