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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB64N03LT |
| 元件分類(lèi)： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| 中文描述： | 抗輻射高效，5安培開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | PHB64N03LT |
Philips Semiconductors
PHB64N03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 27 August 2002
8 of 12
9397 750 10026
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 55 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ae69
0
20
40
60
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03ae71
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 55 A
Tj = 25
°
C
VDD = 15 V
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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