參數(shù)資料
型號(hào)： PHB112N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大?。?/td> 262K
代理商： PHB112N06T
Philips Semiconductors
PHP112N06T; PHB112N06T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 07 March 2001
9 of 14
9397 750 08108
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
9.
Package outline
Fig 16. SOT78
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT78
SC-46
3-lead TO-220AB
D
D1
q
p
L
1
2
3
L1
(1)
b1
e
e
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220AB
SOT78
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
Q
L2
UNIT
A1
b1
D1
e
p
mm
2.54
q
Q
A
b
D
c
L2
max.
3.0
3.8
3.6
15.0
13.5
3.30
2.79
3.0
2.7
2.6
2.2
0.7
0.4
15.8
15.2
0.9
0.7
1.3
1.0
4.5
4.1
1.39
1.27
6.4
5.9
10.3
9.7
L1
(1)
E
L
00-09-07
01-02-16
mounting
base
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP112 Microprocessor Supervisory Circuit; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHP11N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP12N10E KPT 8C 8#16 PIN RECP
PHP12N50E Microprocessor Supervisory Circuit
PHP160NQ08T CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB112N06T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB119NQ06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB119NQ06T /T3 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB119NQ06T,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB11N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
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