參數(shù)資料
型號： PHB101NQ04T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 75 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/13頁
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代理商： PHB101NQ04T
Philips Semiconductors
PHP/PHB101NQ04T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 12 May 2004
8 of 13
9397 750 13167
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 25 A; V
DD
= 14 V and 32 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03aq96
0
20
40
60
80
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03aq98
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 25 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 32 V
14 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP101NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB10N40 CAP 470PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
PHB110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB110NQ08LT N-channel TrenchMOS logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB101NQ04T,118 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB108NQ03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET
PHB108NQ03LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB108NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB10N40 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
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