參數(shù)資料
型號(hào)： PHB101NQ04T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 75 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大小： 94K
代理商： PHB101NQ04T
Philips Semiconductors
PHP/PHB101NQ04T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 12 May 2004
6 of 13
9397 750 13167
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03aq93
9 V
0
80
160
240
0
1
2
3
4
VDS (V)
ID
(A)
Tj = 25
°
C
VGS = 5 V
10 V
7 V
8 V
6 V
03aq95
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 175
°
C
25
°
C
03aq94
9 V
0
5
10
15
0
80
160
240
ID (A)
RDSon
(m
)
VGS = 7 V
Tj = 25
°
C
10 V
8 V
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
a
R
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP101NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB10N40 CAP 470PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
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PHP110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB110NQ08LT N-channel TrenchMOS logic level FET
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參數(shù)描述
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PHB10N40 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
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