參數(shù)資料
型號： PHB101NQ04T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 75 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： PHB101NQ04T
PHP/PHB101NQ04T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 12 May 2004
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
I
Standard level threshold
I
Very low on-state resistance.
I
Motors, lamps, solenoids
I
DC-to-DC converters
I
Uninterruptible power supplies
I
General industrial applications.
I
V
DS
≤
40 V
I
P
tot
≤
157 W
I
I
D
≤
75 A
I
R
DSon
≤
8 m
.
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78 (TO-220AB) and SOT404 (D
2
-PAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to
drain (d)
Symbol
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
[1]
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
mbb076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP101NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB10N40 CAP 470PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
PHB110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB110NQ08LT N-channel TrenchMOS logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB101NQ04T,118 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB108NQ03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET
PHB108NQ03LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB108NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB10N40 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
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