參數(shù)資料
型號(hào)： PHB101NQ04T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 75 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 13/13頁(yè)
文件大小： 94K
代理商： PHB101NQ04T
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 12 May 2004
Document order number: 9397 750 13167
Contents
Philips Semiconductors
PHP/PHB101NQ04T
N-channel TrenchMOS standard level FET
1
1.1
1.2
1.3
1.4
2
3
4
5
5.1
6
7
8
9
10
11
12
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Ordering information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Data sheet status. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP101NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB10N40 CAP 470PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
PHB110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB110NQ08LT N-channel TrenchMOS logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB101NQ04T,118 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB108NQ03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET
PHB108NQ03LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB108NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB10N40 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
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