參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F256J3C-150
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁數(shù)： 41/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F256J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
41
10.3
Read Query/CFI
The query register contains an assortment of flash product information such as block size, density,
allowable command sets, electrical specifications and other product information. The data
contained in this register conforms to the Common Flash Interface (CFI) protocol. To obtain any
information from the query register, execute the Read Query Register command. See
Section 9.2,
“Device Commands” on page 35
for details on issuing the CFI Query command. Refer to
Appendix A, “Query Structure Overview” on page 53
for a detailed explanation of the CFI register.
Information contained in this register can only be accessed by executing a single-word read.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F128J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F256J3D95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3D95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3F950 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, TURLOCK EBGA 3.0 LF - Trays
PC28F256J3F95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
PC28F256J3F95B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 NOR FLASH PLASTIC PBF TBGA 3.0V - Tape and Reel
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