參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F256J3C-150
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁(yè)數(shù)： 27/72頁(yè)
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F256J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
27
7.3
Block Erase, Program, and Lock-Bit Configuration
Performance
Table 10. Configuration Performance
#
Sym
Parameter
Typ
Max
(8)
Unit
Notes
W16
Write Buffer Byte Program Time
(Time to Program 32 bytes/16 words)
218
654
μs
1,2,3,4,5,6,7
W16
t
WHQV3
t
EHQV3
Byte Program Time (Using Word/Byte Program Command)
210
630
μs
1,2,3,4
Block Program Time (Using Write to Buffer Command)
0.8
2.4
sec
1,2,3,4
W16
t
WHQV4
t
EHQV4
Block Erase Time
1.0
5.0
sec
1,2,3,4
W16
t
WHQV5
t
EHQV5
Set Lock-Bit Time
64
75/85
μs
1,2,3,4,9
W16
t
WHQV6
t
EHQV6
Clear Block Lock-Bits Time
0.5
0.70/1.4
sec
1,2,3,4,10
W16
t
WHRH1
t
EHRH1
Program Suspend Latency Time to Read
25
75/90
μs
1,2,3,9
W16
t
WHRH
t
EHRH
Erase Suspend Latency Time to Read
26
35/40
μs
1,2,3,9
NOTES:
1. Typical values measured at T
A
= +25 °C and nominal voltages. Assumes corresponding lock-bits are
not set. Subject to change based on device characterization.
2. These performance numbers are valid for all speed versions.
3. Sampled but not 100% tested.
4. Excludes system-level overhead.
5. These values are valid when the buffer is full, and the start address is aligned on a 32-byte boundary.
6. Effective per-byte program time (t
WHQV1
, t
EHQV1
) is 6.8 μs/byte (typical).
7. Effective per-word program time (t
WHQV2
, t
EHQV2
) is 13.6 μs/word (typical).
8. Max values are measured at worst case temperature and V
CC
corner after 100k cycles (except as
noted).
9. Max values are expressed at -25 °C/-40 °C.
10.Max values are expressed at 25 °C/-40 °C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F128J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F256J3D95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3D95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3F950 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, TURLOCK EBGA 3.0 LF - Trays
PC28F256J3F95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
PC28F256J3F95B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 NOR FLASH PLASTIC PBF TBGA 3.0V - Tape and Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*