參數(shù)資料
型號(hào): PBR941B
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 10V的五(巴西)總裁| 50mA的一(c)|至236
文件頁(yè)數(shù): 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 149K
代理商: PBR941B
2001 Jan 18
9
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF wideband transistor
PBR941B
handbook, full pagewidth
MGS508
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
+
5
+
2
+
1
+
0.5
+
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
2
5
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
100 MHz
200 MHz
500 MHz
1 GHz
2 1
3 GHz
Fig.14 Common emitter input reflection coefficient (s
11
); typical values.
V
CE
= 6 V; I
C
= 15 mA; Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
MGS509
50
40
30
20
10
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
100 MHz
200 MHz
500 MHz
1 GHz
2 GHz
3 GHz
Fig.15 Common emitter forward transmission coefficient (s
21
); typical values.
V
CE
= 6 V; I
C
= 15 mA.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBRC-10.00HR RESONATOR SMD 10.00MHZ
PBRC-12.00BR RESONATOR SMD 12.00MHZ
PBRC-16.00BR RESONATOR SMD 16.00MHZ
PBRC-2.00AR RESONATOR SMD 2.00MHZ
PBRC-2.00BR RESONATOR SMD 2.00MHZ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBR941B,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 360mW 100 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
PBR941T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23
PBR951 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
PBR951,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN UHF 100MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
PBR951215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: