參數(shù)資料
型號: PBR941B
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 10V的五(巴西)總裁| 50mA的一(c)|至236
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代理商: PBR941B
2001 Jan 18
3
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF wideband transistor
PBR941B
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(AV)
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
average collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
20
10
1.5
50
50
360
+150
150
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
T
s
= 60
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
320
K/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
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