參數(shù)資料
型號(hào): PBR941B
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 10V的五(巴西)總裁| 50mA的一(c)|至236
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代理商: PBR941B
2001 Jan 18
8
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF wideband transistor
PBR941B
handbook, full pagewidth
MGS506
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
+
5
+
2
+
1
0.2
0.5
1
2
5
0.5
1
2
5
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
unstable
region load
unstable region
source
(2)
(3)
(4)
(5)
Γ
opt
(6)
(1)
0
+
0.2
+
0.5
135
°
Fig.12 Common emitter available gain, noise and stability circles; typical values.
f = 1 GHz; V
CE
= 6 V;
I
C
= 5 mA; Z
o
= 50
.
(1) G = 17 dB.
(2) G = 16 dB.
(3) G = 15 dB.
(4) NF = 1.6 dB.
(5) NF = 1.8 dB.
(6) NF = 2 dB.
handbook, full pagewidth
MGS507
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
+
5
+
2
+
1
+
0.5
0.5
1
2
5
0.2
1
2
5
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
unstable
region load
unstable region
source
(1)
Γ
opt
0
+
0.2
0.5
0.2
Fig.13 Common emitter available gain, noise and stability circles; typical values.
f = 2 GHz; V
CE
= 6 V; I
C
= 5 mA;
Z
o
= 50
.
(1) G
max
= 10.9 dB.
(2) G = 10 dB.
(3) G = 9 dB.
(4) G = 8 dB.
(5) NF = 2.1 dB.
(6) NF = 2.3 dB.
(7) NF = 2.5 dB.
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PDF描述
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