參數(shù)資料
型號： PBR941B
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 10V的五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|至236
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代理商： PBR941B
2001 Jan 18
6
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF wideband transistor
PBR941B
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
20
40
GUM
MSG
0
16
MGS500
30
12
8
4
IC (mA)
Gmax
Fig.6
Gain as a function of collector current;
typical values.
f = 1 GHz; V
= 6 V.
G
= maximum unilateral power gain.
MSG = maximum stable gain.
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
2
MGS501
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
MSG
Gmax
Fig.7
Gain as a function of frequency; typical
values.
I
C
= 5 mA; V
= 6 V.
G
= maximum unilateral power gain.
MSG = maximum stable gain.
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
(dB)
0
MGR502
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
MSG
Gmax
Fig.8
Gain as a function of frequency; typical
values.
I
C
= 15 mA; V
= 6 V.
G
= maximum unilateral power gain.
MSG = maximum stable gain.
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
(dB)
0
MGS503
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
MSG
Gmax
Fig.9
Gain as a function of frequency; typical
values.
I
C
= 30 mA; V
= 6 V.
G
= maximum unilateral power gain.
MSG = maximum stable gain.
G
max
= maximum available gain.
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PDF描述
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