參數(shù)資料
型號(hào)： NTGD1100
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： 8V,±3.3A,Load Switch with Level Shift,P Channel,TSOP6 Power MOSFET(8V,±3.3A,P溝道功率MOSFET)
中文描述： 8V的，± 3.3A，負(fù)載與電平轉(zhuǎn)換，P通道，TSOP6功率MOSFET開關(guān)（8V的，± 3.3A，P溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 70K
代理商： NTGD1100
NTGD1100L
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
R2 (k )
T
I
L
= 1.0 A
V
ON/OFF
= 3.0 V
C1
= 10 F
C0
= 1.0 F
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
Figure 7. Switching Variation R2 @
V
IN
= 4.5 V, R1 = 20 k
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
R2 (k )
T
I
L
= 1.0 A
V
ON/OFF
= 1.5 V
C1
= 10 F
C0
= 1.0 F
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
Figure 8. Switching Variation R2 @
V
IN
= 4.5 V, R1 = 20 k
Figure 9. Switching Variation R2 @
V
IN
= 2.5 V, R1 = 20 k
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
R2 (k )
T
I
L
= 1.0 A
V
ON/OFF
= 1.5 V
C1
= 10 F
C0
= 1.0 F
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
Figure 10. Switching Variation R2 @
V
IN
= 2.5 V, R1 = 20 k
R2 (k )
T
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
L
= 1.0 A
V
ON/OFF
= 3.0 V
C1
= 10 F
C0
= 1.0 F
1E03
1E02
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
Figure 11. FET Thermal Response Normalized to R
JA
at Steady State (1 inch Pad)
1.0
0.1
0.01
SQUARE WAVE PULSE DURATION TIME, t (sec)
R
J
,
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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