參數(shù)資料
型號： NTE342
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 6W, 175MHz)
中文描述： 硅NPN晶體管射頻輸出功率（以PO \u003d 6W，175MHz時）
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 21K
代理商： NTE342
Electrical Characteristics:
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ Max Unit
Breakdown Voltage
Emitter to Base
V
(BR)EBO
I
E
= 5mA, I
C
= 0
4
–
–
V
Breakdown Voltage
Collector to Base
V
(BR)CBO
I
C
= 10mA, I
E
= 0
35
–
–
V
Breakdown Voltage
Collector to Emitter
V
(BR)CEO
I
C
= 50mA, R
BE
=
∞
17
–
–
V
Collector Cutoff Current
I
CBO
I
EBO
h
FE
P
O
η
C
V
CB
= 25V, I
E
= 0
V
EB
= 3V, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 100mA, Note 1
V
CC
= 13.5V, P
in
= 600mW,
f = 175MHz
–
–
500
μ
A
μ
A
–
Emitter Cutoff Current
–
–
500
DC Forward Current Gain
10
50
180
Output Power
6
7
–
W
Collector Efficiency
60
70
–
%
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 150
μ
s, Duty Cycle = 5%.
.347 (9.5)
.122 (3.1)
.177 (4.5)
.100 (2.54)
.019 (0.48)
.142 (3.62) Dia
.051 (1.3)
.358 (9.1)
.126 (3.2)
E
B
E
C
.485
(12.32)
.485
(12.32)
Min
.395
(9.05)
.189
(4.8)
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PDF描述
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