參數(shù)資料
型號(hào): NTE342
廠(chǎng)商: NTE Electronics, Inc.
英文描述: Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 6W, 175MHz)
中文描述: 硅NPN晶體管射頻輸出功率(以PO \u003d 6W,175MHz時(shí))
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 21K
代理商: NTE342
NTE342
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
(P
O
= 6W, 175MHz)
Description:
The NTE342 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF
band mobile radio applications.
Features:
High Power Gain: G
pe
10dB (V
CC
= 13.5V, P
O
= 6W, f = 175MHz)
Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at:
V
CC
= 15.2V, P
O
= 6W, f = 175MHz
Application:
4 to 5 Watt Output Power Amplifiers Applications in VHF band
Absolute Maximum Ratings:
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage (R
BE
=
), V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation, P
C
T
A
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35V
17V
4V
2A
1.5W
12.5W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
83
°
C/W
10
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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NTE343 Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz)
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參數(shù)描述
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