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參數(shù)資料
| 型號： | NTD4809N |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET 30 V, 58 A(30V, 58A, 功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET 30五，58甲（30V的，58A條，功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | NTD4809N |
NTD4809N
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C01
ISSUE O
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
inches
SCALE 3:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
T
SEATING
PLANE
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.018
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
0.102
0.090 BSC
0.180
0.025
0.020
0.035
0.155
MAX
0.245
0.265
0.094
0.035
0.023
0.045
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.46
0.94
4.58 BSC
0.87
0.46
2.60
2.29 BSC
4.57
0.63
0.51
0.89
3.93
MAX
6.22
6.73
2.38
0.88
0.58
1.14
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.114
1.01
0.58
2.89
0.215
0.040
0.050
5.45
1.01
1.27
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
3
4
3.5 MM IPAK, STRAIGHT LEAD
CASE 369AD01
ISSUE O
A
b
D
L
E
E3
L2
b1
e
3X
A1
A1
A2
DIM
A
A1
A2
b
b1
D
D2
E
E2
E3
MIN
2.19
0.46
0.87
0.69
0.77
5.97
4.80
6.35
4.70
4.45
MAX
2.38
0.60
1.10
0.89
1.10
6.22
6.73
5.46
MILLIMETERS
e
L
L1
L2
2.28 BSC
3.40
0.89
3.60
2.10
1.27
NOTES:
1.. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ASME Y14.5M, 1994.
2.. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
3. DIMENSION b APPLIES TO PLATED TERMINAL
AND IS MEASURED BETWEEN 0.15 AND
0.30mm FROM TERMINAL TIP.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE
MOLD GATE OR MOLD FLASH.
T
SEATING
PLANE
D2
E2
OPTIONAL
CONSTRUCTION
L1
2X
M
0.13
T
D2
E2
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| NTD4809N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD4809N-35H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTD4809NA-1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD4809NA-35G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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