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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTD4809N |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET 30 V, 58 A(30V, 58A, 功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET 30五，58甲（30V的，58A條，功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | NTD4809N |
NTD4809N
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4 V
6.5 V
10
0.020
30
0.005
0
60
1.5
1.0
0.5
10,000
I
D
,
100,000
0
5
60
50
2
1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
3
0.045
4
0.020
0.010
0
5
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
R
D
,
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Drain Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
50
50
25
0
25
75
125
100
2
3
15
10
25
5
3
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 V
175
V
GS
= 0 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
100
90
T
J
= 175
°
C
T
J
= 125
°
C
80
0
4
5
T
J
= 25
°
C
20
10
7 V
5 V
6 V
5.5 V
2.0
6
1000
4
1
0
6
10
0.030
40
0.010
50
4.5 V
3.4 V
3.2 V
3.6 V
3.8 V
80
70
20
10
40
30
120
110
60
40
120
20
100
I
D
= 30 A
T
J
= 25
°
C
7
8
9
0.005
0.015
0.025
0.040
0.035
25
35
45
55
V
GS
= 11.5 V
150
100
T
J
= 25
°
C
0.015
15
20
4.2 V
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