參數(shù)資料
型號(hào)： NTD4806N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30 V, 76 A(30V, 76A, 功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 30五，76甲（30V的，76A號(hào)，功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： NTD4806N
NTD4806N
http://onsemi.com
5
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
C
rss
0
10
10
15
25
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 7. Capacitance Variation
1000
0
V
GS
V
DS
2000
5
5
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
3000
4000
V
GS
Figure 8. GateToSource and DrainToSource
Voltage vs. Total Charge
V
0
2
0
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
8
4
10
5
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25
°
C
Q
2
Q
1
Q
T
20
15
0
0.5
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
I
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
1
10
100
1000
1
t
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
0.6
0.7
1.0
5
10
15
t
r
t
d(off)
t
d(on)
t
f
10
V
DD
= 15 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 11.5 V
0.8
0.9
20
30
25
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
1
100
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.1
1000
I
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
10
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
1 ms
100 s
10 ms
dc
10 s
20
6
1
100
0
25
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
I
D
= 21 A
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
50
75
175
50
100
150
100
125
200
250
E
A
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTD4808N Power MOSFET(功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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NTD4806N-1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
NTD4806N-35G 功能描述:MOSFET NFET 30V 76A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD4806NA-1G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD4806NA-35G 功能描述:MOSFET NFET IPAK 30V 76A 6mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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