參數(shù)資料
型號： NTD4806N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30 V, 76 A(30V, 76A, 功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 30五，76甲（30V的，76A號，功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： NTD4806N
NTD4806N
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4 V
10 V
50
0.015
60
0.005
0
90
1.5
1.0
0.5
0
50
10,000
I
D
,
100,000
0
5
30
2
1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
3
0.048
4
0.023
0.013
0.003
5
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
R
D
,
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Drain Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
50
25
0
25
75
125
100
2
3
15
10
25
5
3
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 V
175
V
GS
= 0 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
50
T
J
= 175
°
C
T
J
= 125
°
C
40
30
20
10
0
160
150
140
130
80
70
60
50
4
5
T
J
= 25
°
C
20
10
5 V
4.5 V
3.2 V
6 V
2.0
6
1000
4
90
1
0
120
110
100
90
6
10
0.033
70
0.010
80
4.2 V
3.4 V
3.6 V
3.8 V
100
40
10
20
60
80
70
I
D
= 30 A
T
J
= 25
°
C
7
8
9
0.008
0.018
0.028
0.043
0.038
55
65
75
85
V
GS
= 11.5 V
150
100
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PDF描述
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NTD4806NA-35G 功能描述:MOSFET NFET IPAK 30V 76A 6mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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