參數(shù)資料
型號(hào)： NTD30N02T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts
中文描述： 30 A, 24 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： NTD30N02T4
NTD30N02
http://onsemi.com
4
C
C
rss
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
2500
0
V
GS
V
DS
1000
500
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
1500
2000
10
5
0
5
10
15
20
25
Figure 8. GatetoSource and DraintoSource
Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
R
G
, GATE RESISTANCE (
)
1
10
100
1000
1
0
4
1
0
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
5
3
2
12
100
4
8
I
D
= 30 A
V
DS
= 20 V
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25
°
C
V
DS
Q
2
Q
1
Q
T
t
r
t
d(off)
t
d(on)
t
f
10
V
DS
= 20 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
16
0
4
8
12
16
20
V
G
,
t
V
GS
V
D
,
I
S
,
15
0
0.3
DRAINTOSOURCE DIODE CHARACTERISTICS
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
0.5
0.7
1.2
3
6
9
0.9
1.1
12
1
0.8
0.6
0.4
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PDF描述
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