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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTD30N02T4 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts |
| 中文描述： | 30 A, 24 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | NTD30N02T4 |
NTD30N02
http://onsemi.com
3
10
40
30
0.03
0.02
0.01
20
50
0.04
0.07
60
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
0.01
100
0
8
20
2
1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
2
5
4
0.01
0
3
6
Figure 3. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
)
R
D
,
)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
I
D
,
60
50
50
25
0
25
75
125
100
1
8
4
16
12
24
8
3
10
30
8 V
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 V
150
V
GS
= 0 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
40
0.02
0.04
V
GS
= 9 V
I
D
= 15 A
T
J
= 25
°
C
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
10
0
60
30
40
4
T
J
= 25
°
C
20
10
7 V
5 V
4 V
3.4 V
3 V
4
5
6
7
2
3
5
0.03
7
8
0.05
0.06
50
3.6 V
4.2 V
4.6 V
5.4 V
6 V
T
J
= 25
°
C
6
7
20
50
9
V
GS
= 4.5 V
1
0.1
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PDF描述 |
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