參數(shù)資料
型號: NTD3055-150
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: JFETs
英文描述: Power MOSFET 9.0Amps, 60Volts N-Channel DPAK(9.0A, 60V,N通道,DPAK封裝的功率MOSFET)
中文描述: 9 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 67K
代理商: NTD3055-150
NTD3055150
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK3
CASE 369D01
ISSUE B
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
1
2
3
4
V
S
A
K
T
SEATING
R
B
F
G
D
3 PL
M
0.13 (0.005)
T
C
E
J
H
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.018
0.037
0.090 BSC
0.034
0.018
0.350
0.180
0.025
0.035
0.155
MAX
0.245
0.265
0.094
0.035
0.023
0.045
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.46
0.94
2.29 BSC
0.87
0.46
8.89
4.45
0.63
0.89
3.93
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
0.58
1.14
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.380
0.215
0.040
0.050
1.01
0.58
9.65
5.45
1.01
1.27
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
Z
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PDF描述
NTD3055L104 Power MOSFET
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NTD3055-150T4 Power MOSFET 9.0 A, 60 V
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NTD3055-150/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 9.0 Amps, 60 Volts
NTD3055-150-1 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD3055-150-1G 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD3055-150G 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD3055-150T4 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube