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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTD3055-150 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 9.0Amps, 60Volts N-Channel DPAK(9.0A, 60V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 9 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | NTD3055-150 |
NTD3055150
http://onsemi.com
4
V
GS
V
DS
4
10
6
0
12
4
10
320
20
10
0
C
0
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage versus Total Charge
V
G
,
1
100
10
10
100
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
I
S
,
t
560
0
1
6
0.6
0.92
0.84
0.76
0.68
1
6
2
0
8
10
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
160
240
400
25
2
I
D
= 9 A
T
J
= 25
°
C
Q
2
Q
1
V
GS
Q
T
V
DS
= 30 V
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
t
r
t
d(off)
t
d(on)
t
f
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
2
3
4
5
80
480
15
5
5
7
8
8
16
0.1
100
10
100
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
E
A
,
A
I
D
,
25
125
100
75
50
24
8
0
32
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
I
D
= 7.75 A
175
150
1
10
1
0.1
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
10 s
1 ms
dc
100 s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD3055L104 | Power MOSFET |
| NTD3055L104G | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4 | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4G | Power MOSFET |
| NTD3055-150T4 | Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD3055-150/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 9.0 Amps， 60 Volts |
| NTD3055-150-1 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150-1G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150T4 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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