- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361155 > NTD3055-150 (ON SEMICONDUCTOR) Power MOSFET 9.0Amps, 60Volts N-Channel DPAK(9.0A, 60V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTD3055-150 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 9.0Amps, 60Volts N-Channel DPAK(9.0A, 60V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 9 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | NTD3055-150 |
NTD3055150
http://onsemi.com
3
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
0.6
10
1
100
1000
12
8
16
4
0
20
0
12
2
3
1
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
0
0.1
8
0
4
12
16
24
Figure 3. OnResistance versus
GateToSource Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
20
50
100
75
0
25
125
175
3
4
7
0
40
30
20
10
60
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
4
8
16
8
V
GS
= 0 V
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
I
D
= 4.5 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 V
R
D
,
R
D
,
(
V
GS
= 9 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 7 V
50
25
5
6
4
6
7
5
V
GS
= 6 V
V
GS
= 5 V
9
8
20
0.2
0.3
0.4
0.5
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
0
0.1
8
4
12
16
24
V
GS
= 15 V
20
0.2
0.3
0.4
0.5
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
150
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
50
T
J
= 125
°
C
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD3055L104 | Power MOSFET |
| NTD3055L104G | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4 | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4G | Power MOSFET |
| NTD3055-150T4 | Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD3055-150/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 9.0 Amps， 60 Volts |
| NTD3055-150-1 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150-1G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150T4 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。