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參數(shù)資料
| 型號： | NTD3055-150 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 9.0Amps, 60Volts N-Channel DPAK(9.0A, 60V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 9 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | NTD3055-150 |
NTD3055150
http://onsemi.com
5
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
Figure 13. Thermal Response
t, TIME (s)
10
1
0.00001
0.001
0.01
0.1
10
0.0001
1
0.1
r
T
D = 0.5
0.2
0.1
SINGLE PULSE
0.05
0.01
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
NTD3055150
DPAK
75 Units/Rail
NTD3055150G
DPAK
(PbFree)
75 Units/Rail
NTD30551501
DPAK3
75 Units/Rail
NTD30551501G
DPAK3
(PbFree)
75 Units/Rail
NTD3055150T4
DPAK
2500 Tape & Reel
NTD3055150T4G
DPAK
(PbFree)
2500 Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD3055L104 | Power MOSFET |
| NTD3055L104G | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4 | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4G | Power MOSFET |
| NTD3055-150T4 | Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD3055-150/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 9.0 Amps， 60 Volts |
| NTD3055-150-1 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150-1G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150T4 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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