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參數(shù)資料
| 型號： | NTD3055-150 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 9.0Amps, 60Volts N-Channel DPAK(9.0A, 60V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 9 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | NTD3055-150 |
NTD3055150
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C01
ISSUE O
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
T
SEATING
PLANE
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.018
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
0.102
0.090 BSC
0.180
0.025
0.020
0.035
0.155
MAX
0.245
0.265
0.094
0.035
0.023
0.045
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.46
0.94
4.58 BSC
0.87
0.46
2.60
2.29 BSC
4.57
0.63
0.51
0.89
3.93
MAX
6.22
6.73
2.38
0.88
0.58
1.14
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.114
1.01
0.58
2.89
0.215
0.040
0.050
5.45
1.01
1.27
1
2
3
4
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
inches
SCALE 3:1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD3055L104 | Power MOSFET |
| NTD3055L104G | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4 | Power MOSFET |
| NTD3055L104T4G | Power MOSFET |
| NTD3055-150T4 | Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD3055-150/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 9.0 Amps， 60 Volts |
| NTD3055-150-1 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150-1G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD3055-150T4 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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