參數(shù)資料
型號(hào)： NTD12N10-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
中文描述： 12 A, 100 V, 0.165 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369D-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： NTD12N10-1
NTD12N10
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
r
(
E
A
,
A
I
D
,
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
0.1
1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
100
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
025
50
75
100
125
4
0
I
D
= 12 A
10
10
175
20
6
0
80
100
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
1 ms
100 s
10 ms
dc
10 s
t, TIME (s)
0.1
1.0
0.01
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
1
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
Figure 13. Thermal Response
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
150
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NTD12N10G 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NTD12N10T4G 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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