參數(shù)資料
型號(hào)： NTB75N03RT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
中文描述： 75 A, 25 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418AA-01, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 73K
代理商： NTB75N03RT4
NTB75N03R, NTP75N03R
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
D
2
PAK
CASE 418AA01
ISSUE O
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SEATING
S
G
D
T
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
F
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.310
MAX
0.380
0.405
0.190
0.036
0.055
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
7.87
MAX
9.65
10.29
4.83
0.92
1.40
MILLIMETERS
INCHES
G
J
K
M
0.100 BSC
0.018
0.090
0.280
2.54 BSC
0.46
2.29
7.11
0.025
0.110
0.64
2.79
S
V
0.575
0.045
0.625
0.055
14.60
1.14
15.88
1.40
B
M
B
W
W
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
M
F
M
F
M
F
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
U
VIEW WW
1
VIEW WW
2
VIEW WW
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTP75N03R Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB75N06L Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts, Logic Level N–Channel TO–220(75A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO220封裝的功率MOSFET)
NTP75N06L Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts, Logic Level N–Channel TO–220(75A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO220封裝的功率MOSFET)
NTB75N06 Power MOSFET
NTB75N06G Power MOSFET
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參數(shù)描述
NTB75N03RT4G 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06G 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
NTB75N06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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