參數資料
型號： NTB75N03RT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
中文描述： 75 A, 25 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418AA-01, D2PAK-3
文件頁數： 3/8頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： NTB75N03RT4
NTB75N03R, NTP75N03R
http://onsemi.com
3
10 V
0
0.018
60
40
0.014
0.006
0.002
20
100
0.022
140
1.6
1.2
1.4
1.0
0.8
0.6
10,000
100,000
0
10
40
4
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
0
0.018
60
40
0.010
0.006
0.002
20
80
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
)
R
D
,
)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
I
D
,
140
50
50
25
0
25
75
125
100
2
3
0
15
10
25
5
6
20
60
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
150
V
GS
= 0 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
80
0.022
V
GS
= 2.5 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
100
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C
40
0
140
20
60
80
4
5
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
20
100
8 V
6 V
4 V
3.5 V
5 V
4.5 V
1.8
6
1000
8
100
120
3 V
1
0
100
120
T
J
= 150
°
C
120
140
0.014
T
J
= 125
°
C
80
0.010
120
相關PDF資料
PDF描述
NTP75N03R Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB75N06L Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts, Logic Level N–Channel TO–220(75A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO220封裝的功率MOSFET)
NTP75N06L Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts, Logic Level N–Channel TO–220(75A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO220封裝的功率MOSFET)
NTB75N06 Power MOSFET
NTB75N06G Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
NTB75N03RT4G 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06G 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB75N06G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
NTB75N06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*