參數(shù)資料
型號： NTB30N20
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode(30A，200V，N通道，增強模式功率MOSFET)
中文描述： 30 A, 200 V, 0.081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 78K
代理商： NTB30N20
NTB30N20
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
r
(
t, TIME ( s)
0.1
1.0
0.01
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
1.0
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1.0
100
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Thermal Response
1
1000
A
I
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
025
50
75
100
125
200
10
10
175
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
100
400
300
500
1000
100
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
1 ms
10 ms
dc
100 s
10 s
I
D
= 30 A
150
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PDF描述
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NTB45N06T4 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
NTP45N06 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
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參數(shù)描述
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NTB30N20T4 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB30N20T4G 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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