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參數(shù)資料
| 型號： | NTB30N20 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode(30A，200V，N通道，增強(qiáng)模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | 30 A, 200 V, 0.081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | NTB30N20 |
NTB30N20
http://onsemi.com
3
60
50
40
30
20
10
10
6
4
2
0
0
8
V
GS
= 10 V
Figure 1. OnRegion Characteristics
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
60
50
40
30
20
10
10
6
4
2
0
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.2
0.15
0.05
35
25
15
5
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
45
35
25
15
5
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0
0.1
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
3
2
1.5
1
0.5
175
125
100
75
50
25
0
25
50
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
40
20
1000
100
10
0
100000
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
I
D
,
I
D
,
R
D
,
55
45
0.1
R
D
,
55
R
D
I
D
,
60
200
80
8
100
120
140
4 V
5 V
7 V
6 V
9 V
T
J
= 25
°
C
8 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
T
J
= 175
°
C
V
GS
= 0 V
T
J
= 100
°
C
2.5
160
180
150
10000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB35N15 | Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode(37A，150V，N通道，增強(qiáng)模式功率MOSFET) |
| NTB45N06 | Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts |
| NTB45N06T4 | Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts |
| NTP45N06 | Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts |
| NTP45N06D | Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NTB30N20T4 | 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB30N20T4G | 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB-3402 | 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述: |
| NTB35N15 | 功能描述:MOSFET 150V 37A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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