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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NT5SV8M16FT-75BI |
| 廠商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 MM, PLASTIC, TSSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 4/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 739K |
| 代理商： | NT5SV8M16FT-75BI |
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NT5SV8M16FS / NT5SV8M16FT
128Mb Synchronous DRAM
REV 1.4
08/2009
12
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
NANYA reserves the right to change products and specifications without notice.
Read Interrupted by a Write
To interrupt a burst read with a Write Command, DQM may be needed to place the DQs (output drivers) in a high impedance
state to avoid data contention on the DQ bus. If a Read Command will issue data on the first or second clocks cycles of the
write operation, DQM is needed to insure the DQs are tri-stated. After that point the Write Command will have control of the DQ
bus.
Minimum Read to Write Interval
COMMAND
NOP
READ A
WRITE A
NOP
DQM
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
: “H” or “L”
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
tCK2, DQs
CAS latency = 2
tCK3, DQs
CAS latency = 3
CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
DQM high for CAS latency = 2 only.
Required to mask first bit of READ data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NT5TU64M16DG-3C | 64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| NTA2425E | |
| NTA2425F | |
| NTA2410-10 | |
| NTD2410F | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NT5SV8M16HS-6K | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:DRAM |
| NT5SV8M8DT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64Mb Synchronous DRAM |
| NT5SV8M8DT-6K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64Mb Synchronous DRAM |
| NT5SV8M8DT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64Mb Synchronous DRAM |
| NT5SV8M8DT-7K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64Mb Synchronous DRAM |
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