參數(shù)資料
型號： NSS20600CF8T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V, 7.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
中文描述： 6000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, CASE 1206A-03, 8 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： NSS20600CF8T1G
NSS20600CF8T1G
http://onsemi.com
4
V
CE
(V
dc
)
Figure 7. Input Capacitance
V
EB
, EMITTER BASE VOLTAGE (V)
0
450
400
350
300
3.0
1.0
2.0
850
800
500
5.0
4.0
6.0
0.01
0.1
1.0
10
0.01
1.0
10
100
C
ibo
(pF)
C
i
,
Figure 8. Output Capacitance
V
CB
, COLLECTOR BASE VOLTAGE (V)
0
200
175
150
125
100
5.0
375
350
325
225
10
15
25
C
obo
(pF)
C
o
,
Figure 9. Safe Operating Area
20
I
C
1.0 mS
10 mS
100 mS
1.0 S
Thermal
Limit
250
0.1
550
700
650
600
750
275
300
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PDF描述
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NSS20601CF8T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS30070MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS30071MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS30100LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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