參數(shù)資料
型號： NSS20600CF8T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V, 7.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
中文描述： 6000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, CASE 1206A-03, 8 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 106K
代理商： NSS20600CF8T1G
NSS20600CF8T1G
http://onsemi.com
3
55
°
C (5 V)
150
°
C (2 V)
150
°
C (5 V)
Figure 1. Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
Figure 2. Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.20
0.05
0
0.01
0.1
1.0
10
0.10
0.15
0.25
I
C
/I
B
= 10
V
C
,
S
V
CE(sat)
= 150
°
C
25
°
C
55
°
C
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.20
0.05
0
0.01
0.1
1.0
10
0.10
0.15
I
C
/I
B
= 100
V
C
,
S
V
CE(sat)
=
55
°
C
25
°
C
150
°
C
0.25
150
°
C
25
°
C
55
°
C
Figure 3. DC Current Gain vs.
Collector Current
Figure 4. Base Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Figure 5. Base Emitter Turn
On Voltage vs.
Collector Current
Figure 6. Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.001
1.0
0.4
0.1
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.6
0.4
0.2
0.1
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.01
1.0
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
10
1.0
100
0.1
0.6
0.8
0.8
0.3
150
°
C
25
°
C
55
°
C
0.8
1.0
1.0
10
100
200
300
400
500
600
800
0.001
0.01
0.1
1.0
10
h
F
,
1.0
1.1
1.2
V
B
,
S
V
B
,
O
10
V
C
,
E
I
C
= 500 mA
10 mA
100 mA
300 mA
V
CE
=
1.0 V
0.30
700
0.7
0.5
0.3
0.9
55
°
C (2 V)
25
°
C (5 V)
25
°
C (2 V)
0.5
0.7
0.9
I
C
/I
B
= 10
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