參數(shù)資料
型號: NSS12200WT1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 12V, 3A, Low VCE(sat) PNP Transistor(12V, 3A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
中文描述: 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 58K
代理商: NSS12200WT1G
NSS12200WT1G
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B02
ISSUE V
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 419B01 OBSOLETE, NEW STANDARD 419B02.
E
0.2 (0.008)
M
M
1
2
3
D
e
A1
A
A3
C
L
6
5
4
E
b
6 PL
DIM
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
MIN
0.80
0.00
NOM
0.95
0.05
0.20 REF
MAX
1.10
0.10
MILLIMETERS
0.10
0.10
1.80
1.15
0.21
0.14
2.00
1.25
0.30
0.25
2.20
1.35
0.031
0.000
0.037
0.002
0.008 REF
0.043
0.004
0.004
0.004
0.070
0.045
0.008
0.005
0.078
0.049
0.026 BSC
0.008
0.082
0.012
0.010
0.086
0.053
MIN
NOM
MAX
INCHES
H
E
H
E
0.65 BSC
0.20
2.10
0.10
2.00
0.30
2.20
0.004
0.078
0.012
0.086
STYLE 20:
PIN 1. COLLECTOR
2. COLLECTOR
3. BASE
4. EMITTER
5. COLLECTOR
6. COLLECTOR
mm
inches
SCALE 20:1
0.65
0.025
0.65
0.025
0.50
0.0197
0.40
0.0157
1.9
0.0748
相關PDF資料
PDF描述
NSS12500UW3T2G 12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(12V, 8.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS20200LT1G 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V, 4.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS20300MR6T1G 20V, 5A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V,5A,低VCE(sat),PNP型晶體管)
NSS20500UW3T2G 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V, 7.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS20600CF8T1G 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V, 7.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NSS12200WT1G_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:12 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS12201LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS12500UW3T2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS12500UW3T2G_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS12501UW3T2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2