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參數(shù)資料
| 型號： | NSS12200WT1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 12V, 3A, Low VCE(sat) PNP Transistor(12V, 3A, 低VCE(sat) PNP晶體管) |
| 中文描述： | 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | NSS12200WT1G |
NSS12200WT1G
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation
T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
(Note 1)
450
3.6
mW
mW/
°
C
°
C/W
Thermal Resistance,
JunctiontoAmbient
R
JA
(Note 1)
275
Total Device Dissipation
T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
(Note 2)
650
5.2
mW
mW/
°
C
°
C/W
Thermal Resistance,
JunctiontoAmbient
R
JA
(Note 2)
192
Thermal Resistance,
JunctiontoLead 6
R
JL
105
°
C/W
Total Device Dissipation
(Single Pulse < 10 sec.)
P
D
Single
1.4
W
Junction and Storage
Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage, (I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
12
15
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage, (I
C
= 0.1 mAdc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
12
25
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage, (I
E
= 0.1 mAdc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
7.0
Vdc
Collector Cutoff Current, (V
CB
= 12 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.02
0.1
Adc
CollectorEmitter Cutoff Current, (V
CES
= 12 Vdc, I
E
= 0)
I
CES
0.03
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current, (V
CES
= 5.0 Vdc, I
E
= 0)
I
EBO
0.03
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 3)
(I
C
= 0.5 A, V
CE
= 1.5 V)
(I
C
= 0.8 A, V
CE
= 1.5 V)
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 1.5 V)
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
C
= 0.5 A, I
B
= 10 mA)
(I
C
= 0.8 A, I
B
= 16 mA)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 20 mA)
BaseEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 20 mA)
h
FE
100
100
100
180
165
160
300
V
CE(sat)
0.10
0.14
0.17
0.160
0.235
0.290
V
V
BE(sat)
0.84
0.95
V
BaseEmitter Turnon Voltage (Note 3)
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 1.5 V)
V
BE(on)
0.81
0.95
V
Cutoff Frequency
(I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 1.5 V, f = 1.0 MHz)
1. FR4, Minimum Pad, 1 oz Coverage.
2. FR4, 1
″
Pad, 1 oz Coverage.
3. Pulsed Condition: Pulse Width < 300 sec, Duty Cycle < 2%.
C
obo
50
65
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NSS12500UW3T2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| NSS12500UW3T2G_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
| NSS12501UW3T2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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