參數(shù)資料
型號(hào)： NSS12200WT1G
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 12V, 3A, Low VCE(sat) PNP Transistor(12V, 3A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
中文描述： 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： NSS12200WT1G
NSS12200WT1G
http://onsemi.com
3
0.1
0
0.5
1
0.3
100
10
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 2. Collector Emitter Voltage vs. Collector Current
Figure 1. Collector Emitter Voltage vs. Base Current
V
C
,
0.5
0.001
0.1
1
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.2
0.01
I
C
= 100 mA
500 mA
I
C
/I
B
= 100
0.1
0.4
800 mA
1 A
2 A
0.2
0.3
0.4
V
C
,
I
C
/I
B
= 10
I
C
,
1
0.1
0.01
300
200
100
0
T
A
= 55
°
C
25
°
C
125
°
C
0.001
V
CE
= 1.5 V
400
0.01
0.1
1
10
Figure 3. DC Current Gain vs. Collector
Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 4. Base Emitter Voltage vs. Collector
Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
V
B
,
h
F
,
Figure 5. Base Emitter Saturation Voltage vs.
Base Current
V
CE
, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.001
0.1
0.01
1
0.5
0.3
1.0
0.1
10
1
Figure 6. Safe Operating Area
0.6
1
0.01
0.001
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
V
B
,
0.4
0.7
0.6
0.9
0.8
T
A
= 55
°
C
25
°
C
125
°
C
V
CE
= 1.5 V
I
C
/I
B
= 100
I
C
/I
B
= 10
SINGLE PULSE T
A
= 25
°
C
1 ms
10 ms
100 ms
dc
1 s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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