參數(shù)資料
型號： NGD18N40CLBT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
中文描述： 15 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 70K
代理商： NGD18N40CLBT4
NGD18N40CLBT4
http://onsemi.com
7
0.2
0.1
0.00001
0.001
0.0001
0.1
100
0.1
0.0001
0.01
t,TIME (S)
R
°
C
Single Pulse
1
0.05
0.02
0.01
Duty Cycle = 0.5
0.01
Figure 19. Transient Thermal Resistance
(Nonnormalized JunctiontoAmbient mounted on
minimum pad area)
1
10
0.001
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
A
= P
(pk)
R
JA
(t)
R
JC
R(t) for t
≤
0.2 s
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