參數(shù)資料
型號： NGD18N40CLBT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
中文描述： 15 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： NGD18N40CLBT4
NGD18N40CLBT4
http://onsemi.com
6
100
10
0.1
1
0.01
Figure 13. Single Pulse Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at T
A
= 25 C)
COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Single Pulse Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at T
A
= 125 C)
COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
C
C
1
100
10
1000
100
10
0.1
1
0.01
1
100
10
1000
100
μ
s
10 ms
1 ms
100 ms
DC
100
μ
s
10 ms
1 ms
100 ms
DC
100
10
0.1
1
0.01
COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
C
C
1
100
10
1000
100
10
0.1
1
0.01
1
100
10
1000
t
1
= 1 ms, D = 0.05
t
1
= 2 ms, D = 0.10
t
1
= 3 ms, D = 0.30
t
1
= 1 ms, D = 0.05
t
1
= 2 ms, D = 0.10
t
1
= 3 ms, D = 0.30
Figure 15. Pulse Train Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at T
C
= 25 C)
Figure 16. Pulse Train Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at T
C
= 125 C)
5.0 V
V
IN
R
G
= 1 k
L = 10 H
R
L
= 0.1
V
BATT
= 16 V
Figure 17. Circuit Configuration for
Short Circuit Test #1
Figure 18. Circuit Configuration for
Short Circuit Test #2
5.0 V
V
IN
R
G
= 1 k
L = 10 H
R
L
= 0.1
V
BATT
= 16 V
R
S
= 55 m
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PDF描述
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參數(shù)描述
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